產品介紹 首頁 產品介紹 真空電漿 電漿去光阻機NEMST-AS2002電漿去光阻機 特色/設計說明 性能特色 應用/解決方案 高密度電漿系統(ICP)無損傷設計具有水冷機制的電極高均勻性處理能夠進行6或8英寸晶圓處理每個負載最多25~50個晶圓一個循環處理時間約20~25分鐘半導體、LED產品各式光阻之去除。