NEMST-AS2002

電漿去光阻機

電漿去光阻機

電漿去光阻機

高密度電漿系統（ICP）。
無損傷設計。
具有水冷機制的電極。

高均勻性處理。
能夠進行6或8英寸晶圓處理。
每個負載最多25~50個晶圓。
一個循環處理時間約20~25分鐘。

廣泛應用於半導體與 LED 產業，能高效去除各類光阻，並精準對應 FOPLP 及 FOWLP 等先進封裝製程。